A nanotecnologia, que já está presente globalmente na indústria de eletroeletrônicos, acaba de ganhar mais um aliado que deverá abrir caminho para uma nova geração de computadores, celulares, televisores e muitos outros produtos. Com o desenvolvimento de um novo tipo de transistor, conhecido como FinFET ou transistor 3D, esses equipamentos poderão ficar ainda menores, mais leves e com muito mais capacidade de processamento de dados.
O projeto do primeiro transistor FinFET brasileiro, que tem apoio da Fapesp (Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo), foi desenvolvido por um grupo de pesquisadores do Centro Universitário da FEI, em parceria com a Unicamp (Universidade Estadual de Campinas) e da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, sob a coordenação do professor João Antônio Martino, da USP.
Os primeiros protótipos de FinFETs foram desenvolvidos totalmente no Brasil, nos laboratórios da USP e da Unicamp. O grupo de pesquisa da FEI contribuiu com medidas elétricas, simulação e modelagem do dispositivo, que deram subsídios para a produção. “A fabricação do protótipo veio coroar um intenso trabalho de pesquisa que envolveu recursos humanos e materiais”, comemora o professor Marcelo Antonio Pavanello, vice-reitor de Pesquisa e Extensão da FEI e um dos participantes do trabalho.
O pós-doutorando Rodrigo Trevisoli Doria (foto), formado na FEI em Engenharia Elétrica em 2003, começou as pesquisas com transistores ainda no mestrado da Instituição, quando passou a fazer parte do grupo de Pavanello. Durante o doutorado e o pós-doutorado, o engenheiro passou cinco meses estudando transistores 3D no Tyndall National Institute, em Cork, na Irlanda, onde há um grande grupo de pesquisa nesta área. “Essa oportunidade foi importante, porque consegui interagir com pesquisadores que desenvolveram o dispositivo 3D sem junções, estudar seu funcionamento e trazer algumas amostras para o Brasil”, destaca.
O projeto deve ser renovado, assim, os pesquisadores poderão dar continuidade à estrutura tridimensional brasileira com objetivo de se manterem na vanguarda tecnológica nesse segmento. A FEI foi a primeira a estudar os transistores tridimensionais sem junções no Brasil, e iniciou as pesquisas em 2009. Agora, a Instituição quer dar sequência aos projetos com a fabricação de outras estruturas tridimensionais, como o transistor sem junções. “O projeto para fabricar o transistor no Brasil, em parceria com a Unicamp, já está aprovado pelo Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)”, adianta o vice-reitor da FEI.
Fonte: FEI
